第670章 第二步:覆海!破晓 A220 EUV光刻机,陈总的新筹码!

快平息。

“提高功率档位!”陈延森继续说道。

EUV光刻机的功率直接决定单位时间内的晶圆处理数量,每一次曝光都需足够的EUV光能量触发光刻胶的光化学反应。

若光源功率低,需延长单次曝光时间或增加脉冲次数,才能满足能量需求,导致单晶圆处理时间变长。

比如200W功率的机型每小时可处理约125片晶圆,而250W机型可提升至每小时170片,产能提升近40%。

技术差一点,就是差了一大截!

而且功率越高,单位晶圆的光刻成本就越低,规模化优势就越强。

闻言,林南立刻收敛心神,右手在控制台上快速滑动,目光紧盯着功率调节界面:“收到!当前目标档位220瓦,升压速率已调至安全阈值,避免等离子体不稳定。”

控制台屏幕上,代表光源功率的数字开始缓慢爬升,每一个数值的跳动,控制室内的呼吸声就跟着沉重一分。

137瓦、168瓦、214瓦……

当数字稳稳停在220瓦时,林南立即看向一旁的光源稳定性监测曲线。

那条代表等离子体约束状态的绿色线条,始终保持着平稳的波动,没有出现任何异常的尖峰或骤降。

系统运行稳定!

“功率稳定在220瓦!等离子体约束状态良好,没有出现能量泄漏!”

林南的声音比刚才响亮了几分,紧绷的肩膀也稍稍放松了一些,脸上绽放出一抹旁人看不见的灿烂笑容。

作为国产第一台EUV光刻机的核心研发人员,那是妥妥能登上教科书、评院士、留名青史的人。

他连忙深吸了一口气,强行控制住自己的情绪。

陈延森微微颔首,转头看向章延杰:“光学系统同步适配,检查光束匀化效果。”

章延杰立马调出照明光学模块的实时数据,屏幕上弹出一组光束截面分布图。

淡紫色的光斑均匀地覆盖在模拟掩模区域,边缘没有出现丝毫能量衰减的阴影。

“陈老师,光束匀化度99.2%,符合220瓦功率下的光学适配要求,成像光学系统已完成自动对焦校准!”

章延杰扬声回应道。

这一次,控制室内的骚动比方才更加明显。

有人悄悄抹了把眼角,还有人用拳头轻轻捶了下桌面。

从107瓦到220瓦,不仅仅是数字的提升,更是证明他们的MCDE-EUV光源既能“点亮”,也能在更高功率下保持稳定,这意味着量产的可能性又近了一步。

功率是制约工艺节点的重要因素!

制程微缩需实现更小的线宽和间距,要求EUV光具备更高的光学对比度,而功率是对比度的核心支撑。

220瓦的稳定功率,足以满足7纳米制程的芯片生产所需。

陈延森嗯了一声,接着吩咐道:“准备晶圆台与掩模台同步测试,加载测试晶圆,按28纳米制程参数设置曝光程序。”

汪象朝马上响应:“测试晶圆已通过机械臂送入预对准工位,掩模台已加载28纳米标准电路掩模版,同步精度校准中。”

顷刻间,众人的视线重新聚焦在主监控屏上。

屏幕被分成了四个画面:左上角是光源功率与等离子体状态,右上角是光学系统的光束分布,左下角是晶圆台的实时坐标,右下角则是掩模台的运动轨迹。

随着汪象朝按下按钮,两个精密平台迅速移动,它们的运动轨迹像两条精准咬合的齿轮,每一次微调都控制在0.1纳米以内。

“同步精度0.08纳米!已达预设标准!”

汪象朝说道。

陈延森看了一眼时间,此刻是晚上8点37分,距离真空泵启动已经过去了半个多小时。

他俯下身子,对着麦克风,向实验室的工作人员叮嘱道:“曝光开始,单次曝光时间设置为0.5秒,记录所有参数。”

核心腔室的观察窗内,淡紫色的微光骤然亮了一下,旋即恢复柔和。

光路末端的探测器疯狂刷新着数据,屏幕上跳出一行行代表“曝光能量密度”、“线宽均匀度”、“图形套刻精度”的数值。

每一个数字都在朝着合格的方向靠近!

0.5秒的时间,却像一个世纪那么漫长。

当曝光完成的提示音在控制室内响起时,汪象朝立刻操控机械臂将测试晶圆移出,送往检测室。

一行人都跟了过去,连脚步都变得急促起来。

在精密的EUV掩模版检测仪下,当第一张晶圆的光刻图案清晰显示在屏幕上时,现场彻底沸腾了。

线条细如蛛丝,却没有一丝断裂或模糊,每一个晶体管的轮廓都精准得如同复刻。

光刻机的运行原理就像印刷机,又像照相机,只不过它所运用的‘画笔’和‘画板’都更为精细。

“成了!真的成了!”

汪象朝喃喃低语,双手在发抖,嘴里发出‘呵呵呵’的笑声,压抑中带着亢奋。

不一会儿,笑声变得呜咽。

他今年五十九岁,在EUV光源领域已经摸爬滚打了大半辈子。

曾经的他,眼看着自己的人生快要走到尽头,连EUV光源的技术突破也渐渐看不到希望,心里满是无力。

可谁曾想,星源科技会在这时横空出世,不仅打破了僵局,更给华国自主研发光刻机带来了全新的希望。

如今造出了EUV光刻机和烛龙 G1051五轴联动数控机床,往后华国芯片产业和高端制造业,总算不用再看别人脸色了!

汪象朝抹了把脸,想把激动的泪水憋回去,可嘴角却控制不住地往上扬,最后索性也

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